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TABLE 4G: Thyristor/Diode single device
Date Code Low
High
Number
# Part Number or Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test # [°C]
[°C]
Cycles
Size
1 CS20-22-moF1 1888 -55
2 CS22-08io1M 1953 -40
3 CS23-12io2 1959 -40
4 CS30-12io1 1977 -40
5 CS30-16io1DCSN 1820 -40
6 CS35-14io4 1473 -40
7 CS45-16io1 1598 -40
8 CS60-16io1 1830 -40
9 CS8-12io2 1605 -40
10 DSA1-16D 2023 -40
11 DSA17-16A 1703 -40
12 DSA35-16A 1566 -40
13 DSAI35-16A 2067 -40
14 DSAI75-16B 1858 -40
15 DSI45-12A 1805 -40
16 DSP25-16 1564 -40
17 DSP25-16A 1639 -40
150
150
150
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200
200
200
1000
1000
1000
TABLE 4H: ISOPLUS
Date Code
Low
High
Number
#
Part Number
or
Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[°C]
Cycles
Size
1 CS20-22-moF1 1888
2 DHH55-36N1F 1604
3 DSEE29-06CC 1771
4 DSEP15-12CR 1514
5 DSEP25-16AR 1712
6 DSEP30-06BR 1700
7 DSEP30-06CR 2015
8 DSEP9-06CR 1437
9 DSS20-01AC 1709
10 DSSK60-015AR 1573
11 DWP25-16/18AL 1842
12 FII50-12EL 1534
13 GWM120-0075P3SL 1720
-55
-55
-55
-55
-40
-55
-55
-55
-55
-55
-55
-55
-55
150
150
150
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30
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14 GWM160-0055X1-SL
1960
-55
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0
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15 GWM70-01P2 1448
16 IXKC13N80C 1769
17 IXKC25N80C 1590
18 IXUC200N055 1802
-55
-55
-55
-55
150
150
150
150
1000
100
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0
0
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0
10000
2000
2000
4500
TABLE 4J: Breakover Diode
Date Code
Low
High
Number
# Part Number or
Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
[°C]
Cycles
Size
1 IXBOD1-08 1941
2 IXBOD1-09 1800
3 IXBOD1-10 1576
4 IXBOD1-10 2096
-40
-40
-40
-40
150
150
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IXYS Semiconductor GmbH
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IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube